Приставка к мультиметру для измерения параметров транзисторов. Универсальный тестер радиокомпонентов
Прежде чем рассмотреть способы как проверить исправность транзисторов необходимо знать, как проверять исправность p-n перехода или как правильно тестировать диоды. Именно с этого мы и начнем...
Тестирование полупроводниковых диодов
При тестировании диодов с помощью стрелочных ампервольтомметрами следует использовать нижние пределы измерений. При проверке исправного диода сопротивление в прямом направлении составит несколько сотен Ом, в обратном направлении - бесконечно большое сопротивление. При неисправности диода стрелочный (аналоговый) ампервольтомметр покажет в обоих направлениях сопротивление близкое к 0 (при пробое диода) или бесконечно большое сопротивление при разрыве цепи. Сопротивление переходов в прямом и обратном направлениях для германиевых и кремниевых диодов различно.
Проверка диодов с помощью цифровых мультиметров производится в режиме их тестирования. При этом, если диод исправен, на дисплее отображается напряжение на р-n переходе при измерении в прямом направлении или разрыв при измерении в обратном направлении. Величина прямого напряжения на переходе для кремниевых диодов составляет 0,5...0,8 В, для германиевых - 0,2...0,4 В. При проверке диода с помощью цифровых мультиметров в режиме измерения сопротивления при проверке исправного диода обычно наблюдается разрыв как в прямом, так и в обратном направлении из-за того, что напряжение на клеммах мультиметра недостаточно для того, чтобы переход открылся.
Для наиболее распространенных биполярных транзисторов их проверка аналогична тестированию диодов , так как саму структуру транзистора р-n-р или n-р-n можно представить как два диода (см. рисунок выше), с соединенными вместе выводами катода, либо анода, представляющими собой вывод базы транзистора. При тестировании транзистора прямое напряжение на переходе исправного транзистора составит 0,45...0,9 В. Говоря проще, при проверке омметром переходов база-эмиттер, база-коллектор исправный транзистор в прямом направлении имеет маленькое сопротивление и большое сопротивление перехода в обратном направлении. Дополнительно следует проверять сопротивление (падение напряжения) между коллектором и эмиттером, которое для исправного транзистора должно быть очень большое, за исключением описанных ниже случаев. Однако есть свои особенности и при проверке транзисторов. На них мы и остановимся подробнее.
Одной из особенностей является наличие у некоторых типов мощных транзисторов встроенного демпферного диода, который включен между коллектором и эмиттером, а также резистора номиналом около 50 Ом между базой и эмиттером. Это характерно в первую очередь для транзисторов выходных каскадов строчной развертки. Из-за этих дополнительных элементов нарушается обычная картина тестирования. При проверке таких транзисторов следует сравнивать проверяемые параметры с такими же параметрами заведомо исправного однотипного транзистора. При проверке цифровым мультиметром транзисторов с резистором в цепи база-эмиттер напряжение на переходе база-эмиттер будет близким или равным 0 В.
Другими «необычными» транзисторами являются составные, включенные по схеме Дарлингтона. Внешне они выглядят как обычные, но в одном корпусе имеется два транзистора, соединенные по схеме, изображенной на рис. 2. От обычных их отличает высокий коэффициент усиления - более 1000.
Тестирование таких транзисторов особенностями не отличается, за исключением того, что прямое напряжение перехода база-эмиттер составляет 1,2...1,4 В. Следует отметить, что некоторые типы цифровых мультиметров в режиме тестирования имеют на клеммах напряжение меньшее 1,2 В, что недостаточно для открывания р-n перехода, и в этом случае прибор показывает разрыв.
Тестирование однопереходных и программируемых однопереходных транзисторов
Однопереходный транзистор (ОПТ) отличается наличием на его вольт-амперной характеристике участка, с отрицательным сопротивлением. Наличие такого участка говорит о том, что такой полупроводниковый прибор может использоваться для генерирования колебаний (ОПТ, туннельные диоды и др.).
Однопереходный транзистор используется в генераторных и переключательных схемах. Для начала разберем, чем отличается однопереходный транзистор от программируемого однопереходного транзистора. Это несложно:
- общим для них является трехслойная структура (как у любого транзистора) с 2мя р-n переходами;
- однопереходный транзистор имеет выводы, называемые база 1 (Б1), база 2 (Б2), эмиттер. Он переходит в состояние проводимости, когда напряжение на эмиттере превышает значение критического напряжения переключения, и находится в этом состоянии до тех пор, пока ток эмиттера не снизится до некоторого значения, называемого током запирания. Все это очень напоминает работу тиристора ;
- программируемый однопереходный транзистор имеет выводы, называемые анод (А), катод (К) и управляющий электрод (УЭ). По принципу работы он ближе к тиристору. Переключение его происходит тогда, когда напряжение на управляющем электроде превышает напряжение на аноде (на величину примерно 0,6 В - прямое напряжение р-n перехода). Таким образом, изменяя с помощью делителя напряжение на аноде, можно изменять напряжение переключения такого прибора т.е. "программировать" его.
Чтобы проверить исправность однопереходного и программируемого однопереходного транзистора следует измерить омметром сопротивление между выводами Б1 и Б2 или А и К для проверки на пробой. Но наиболее точные результаты можно получить, собрав схему для проверки однопереходных и программируемых однопереходных транзисторов (см. схему ниже - для ОПТ - рис. слева, для программируемого ОПТ - рис. справа).
Проверка цифровых транзисторов
Рис. 4 Упрощенная схема цифрового транзистора слева, Справа - схема тестирования. Стрелка означает «+» измерительного прибора
Другими необычными транзисторами являются цифровые (транзисторы с внутренними цепями смещения). На рис 4. выше изображена схема такого цифрового транзистора. Номиналы резисторов R1 и R2 одинаковы и могут составлять либо 10 кОм, либо 22 кОм, либо 47 кОм, или же иметь смешанные номиналы.
Цифровой транзистор внешне не отличается от обычного, но результаты его «прозвонки» могут поставить в тупик даже опытного мастера. Для многих они как были «непонятными», так таковыми и остались. В некоторых статьях можно встретить утверждение - "тестирование цифровых транзисторов затруднено... Лучший вариант - замена на заведомо исправный транзистор". Бесспорно, это самый надежный способ проверки. Попробуем разобраться, так ли это на самом деле. Давайте разберемся, как правильно протестировать цифровой транзистор и какие выводы сделать из результатов измерений.
Для начала обратимся к внутренней структуре транзистора, изображенной на рис.4, где переходы база-эмиттер и база-коллектор для наглядности изображены в виде двух включенных встречно диодов. Резисторы R1 и R2 могут быть как одного номинала, так и могут отличаться и составлять либо 10 кОм, либо 22 кОм, либо 47 кОм, или же иметь смешанные номиналы. Пусть сопротивление резистора R1 будет 10 кОм, a R2 - 22 кОм. Сопротивление открытого кремниевого перехода примем равным 100 Ом. В частности, эту величину показывает стрелочный авометр Ц4315 при измерении сопротивления на пределе х1.
В прямом направлении цепь база-коллектор рассматриваемого транзистора состоит из последовательно соединенных резистора R1 и сопротивления собственно перехода база-коллектор (VD1 на рис. 1). Сопротивлением перехода, так как оно значительно меньше сопротивления резистора R1, можно пренебречь, и этот замер даст величину, приблизительно равную значению сопротивления резистора R1, которое в нашем примере равно 10 кОм. В обратном направлении переход остается закрытым, и ток через этот резистор не течет. Стрелка авометра должна показать «бесконечность».
Цепь база-эмиттер представляет собой смешанное соединение резисторов R1, R2 и сопротивления собственно перехода база-эмиттер (VD2 на рис. 4 слева). Резистор R2 включен параллельно этому переходу и практически не изменяет его сопротивления. Следовательно, в прямом направлении, когда переход открыт, ампервольтомметр вновь покажет величину сопротивления, приблизительно равную значению сопротивления базового резистора R1. При изменении полярности тестера переход база-эмиттер остается закрытым, и ток протекает через последовательно соединенные резисторы R1 и R2. В этом случае тестер покажет сумму этих сопротивлений. В нашем примере она составит приблизительно 32 кОм.
Как видите, в прямом направлении цифровой транзистор тестируется так же, как и обычный биполярный транзистор , с той лишь разницей, что стрелка прибора показывает значение сопротивления базового резистора. А по разности измеренных сопротивлений в прямом и обратном направлениях можно определить величину сопротивления резистора R2.
Теперь рассмотрим тестирование цепи эмиттер-коллектор. Эта цепь представляет собой два встречно включенных диода, и при любой полярности тестера его стрелка должна была бы показать «бесконечность». Однако, это утверждение справедливо только для обычного кремниевого транзистора.
В рассматриваемом случае из-за того, что переход база-эмиттер (VD2) оказывается зашунтированным резистором R2, появляется возможность открыть переход база-коллектор при соответствующей полярности измерительного прибора. Измеренное при этом сопротивление транзисторов имеет некоторый разброс, но для предварительной оценки можно ориентироваться на значение примерно в 10 раз меньшее сопротивления резистора R1. При смене полярности тестера сопротивление перехода база-коллектор должно быть бесконечно большим.
На рис. 4 справа подведен итог вышесказанному, которым удобно пользоваться в повседневной практике. Для транзистора прямой проводимости стрелка будет означать «-» измерительного прибора.
В качестве измерительного прибора необходимо использовать стрелочные (аналоговые) АВОметры с током отклонения головки около 50 мкА (20 кОм/В).
Следует отметить, что вышеизложенное носит несколько идеализированный характер, и на практике, могут быть ситуации, требующие логического осмысления результатов измерений. Особенно в случаях, если цифровой транзистор окажется дефектным.
Как проверить полевой МОП-транзистор
Существует несколько разных способов проверки полевых МОП-транзисторов. Например такой:
- Проверить сопротивление между затвором - истоком (3-И) и затвором - стоком (3-С). Оно должно быть бесконечно большим.
- Соединить затвор с истоком. В этом, случае переход исток - сток (И-С) должен прозваниваться как диод (исключение для МОП-транзисторов, имеющих встроенную защиту от пробоя - стабилитрон с определенным напряжением открывания).
Самой распространенной и характерной неисправностью полевых МОП-транзисторов является короткое замыкание между затвором - истоком и затвором - стоком.
Другим способом является использование двух омметров. Первый включается для измерения между истоком и стоком, второй - между истоком и затвором. Второй омметр должен иметь высокое входное сопротивление - около 20 МОм и напряжение на выводах не менее 5 В. При подключении второго омметра в прямой полярности транзистор откроется (первый омметр покажет сопротивление близкое к нулю), при изменении полярности на противоположную транзистор закроется. Недостаток этого способа - требования к напряжению на выводах - второго омметра. Естественно, цифровые мультиметры для этих целей не подходит. Это ограничивает применение такого способа проверки.
Еще один способ похож на второй. Сначала кратковременно соединяют между собой выводы затвора и истока для того, чтобы снять имеющийся на затворе заряд. Далее к выводам истока-стока подключают омметр. Берут батарейку напряжением 9 В и кратковременно подключают ее плюсом к затвору, а минусом - к истоку. Транзистор откроется и будет открыт некоторое время после отключения батарейки за счет сохранения заряда. Большинство полевых МОП-транзисторов открывается при напряжении затвор-исток около 2 В.
При тестировании полевых МОП-транзисторов следует соблюдать особую осторожность, чтобы не вывести его из строя транзистор статическим электричеством.
Как определить структуру и расположения выводов транзисторов, тип которых неизвестен
При определении структуры транзистора, тип которого неизвестен, следует путем перебора шести вариантов - определить вывод базы, а затем измерить прямое напряжение на переходах. Прямое напряжение на переходе база-эмиттер всегда на несколько милливольт выше прямого напряжения на переходе база-коллектор (при пользовании стрелочного мультиметра сопротивление перехода база-эмиттер в прямом направлении несколько выше сопротивления перехода база-коллектор). Это связано с технологией производства транзисторов, и правило применимо к обыкновенным биполярным транзисторам, за исключением некоторых типов мощных транзисторов, имеющих встроенный демпферный диод. Полярность щупа мультиметра, подключенного при измерениях на переходах в прямом направлении к базе транзистора укажет на тип транзистора: если это «+» - транзистор структуры n-p-n, если «-» - структуры р-n-р.
http://radiostorage.net/?area=news/1252
В радиолюбительской практике не так уж часто возникает необходимость в применении полевых транзисторов, поэтому многие радиолюбители обычно не утруждают себя постройкой приборов для измерения их основных параметров. Между тем современные полевые транзисторы обладают рядом уникальных качеств, которые, при прочих равных условиях, недоступны их биполярным собратьям. Вспомним лишь некоторые из них: высокое входное сопротивление, большое усиление по мощности, низкий уровень собственных шумов, меньшие искажения формы входного сигнала, отсутствие вторичного теплового пробоя. Даже на заурядных полевых транзисторах
серий КП103, КПЗОЗ, КП305 можно собрать всевозможные варианты схем маломощных усилителей, генераторов, детекторов, ключей, при этом созданные узлы могут получиться заметно проще, чем узлы с равноценными свойствами , выполненные исключительно с применением биполярных транзисторов.
Чтобы эффективно применять усилительные полевые транзисторы в своих конструкциях, кроме максимально допустимых режимов работы, например , таких как максимальные ток стока, рассеиваемая мощность и напряжение сток-исток, желательно знать и другие их основные параметры. К их числу можно отнести начальный ток стока, напряжение отсечки, крутизну вольт-амперной характеристики. Эти параметры индивидуальны для каждого конкретного экземпляра транзистора и могут существенно различаться даже у однотипных транзисторов из одной партии. Для измерения этих параметров и предлагается собрать несложный прибор, схема которого изображена на рис. 5.33. Остальные важные статические и динамические параметры можно найти в справочниках.
Предлагаемый для сборки прибор позволяет измерять начальный ток стока, напряжение отсечки, а при выполнении несложных вычислений и крутизну вольта-мперной характеристики (усилительные свойства полевого транзистора).
Параметры измеряются с помощью стрелочного микроамперметра РА1, который в зависимости от положения переключателя SB2 измеряет ток стока или напряжение затвор-исток. Оба вида измерений имеют три поддиапазона - 1,5, 15, 30 миллиампер или вольт, которые выбираются трехпозиционным переключателем SB1. Если переключатель SB3 находится в верхнем по схеме положении - «р», то прибором можно проверять транзисторы с р-каналом - КП101, КП103. Если переключатель SB3 установить в положение «п», то тогда можно проверять транзисторы с п-каналом - КП302, КПЗОЗ, КП307 и другие аналогичные.
Для проверки полевых транзисторов с каналом обедненного типа необходимо двуполярное напряжение питания. Для получения стабилизированного напряжения отрицательной полярности из однополярного прибор оснащен несложным однотактным преобразователем полярности напряжения, выполненным по знакомой многим схеме. На транзисторе VT1, трансформаторе Т1 и их внешних элементах выполнен высокочастотный преобразователь. Каскад на транзисторе VT2 выполняет функции параметрического стабилизатора напряжения -10 В. То, что для питания этого прибора достаточно одного напряжения, позволяет использовать для его питания практически любой источник энергии с одним выходным напряжением 9...12 В, например, батарею «Крона», «Ника» или 7Д-0,125Д. Стабилитрон VD6 - защитный на случай пробоя транзистора VT2. Резистор R15 предназначен для разрядки конденсатора СЗ при отключении питания. Сенсор Е1 предназначен для выравнивания потенциалов статического напряжения прибора и тела человека. Диоды VD1, VD2 защищают микроамперметр от повреждения при возможных перегрузках, например, из-за пробоя проверяемого транзистора. Светодиод HL1 светится при наличии напряжения питания.
Детали и конструкция. В устройстве можно использовать постоянные резисторы С1-4, С2-23, МЯТ, ВС. Переменный резистор R9 может быть с выключателем питания типа СПЗ-4в, СПЗ-ЗЗ-20 сопротивлением 2,2...4,7 кОм. Конденсаторы С1, СЗ- К50-35, К50-16, К50-19. Остальные конденсаторы любые керамические или пленочные, например, КМ-5, К73-17, К73-39. Кремниевые диоды VD1, VD2 можно взять любые из серий КД521, КД522, КД105, Д223, 1 N4001-1 N4007. Диодный мост VD3 можно заменить на КЦ422 (А-Г), КД906 или четырьмя диодами КД521А. Стабилитроны: VD4 -КС533А, КС527А, 1N4752A, TZMC-33, BZX/BZV55C-33; VD5 -КС207Б, КС211Ж, 1 N4741 A, TZMC-11, BZX/BZV55C-11; VD6 -КС207В, КС212Ж, КС508А, КС512А, 1N4742A, TZMC-12, BZX/BZV55C-12. Светодиод HL1 использован красного цвета свечения, выполненный в прямоугольном корпусе 5и2,5 мм. Без каких-либо ограничений его можно заменить любым из серий L63, L1503, L1513, АЛ307, КИПД40. Транзистор VT1 может быть серий КТ602, КТ611, КТ630, 2SC2331, 2SC2316; VT2 заменяется на КТ502, КТ639, КТ644, 2SA642, 2SA916 с любым буквенным индексом. Трансформатор Т1 можно изготовить на чашечном ферритовом магнитопроводе диаметром 13 мм и высотой 8 мм от генератора тока стирания и подмагничивания отечественного носимого кассетного магнитофона, например, «Электроника-324». Обмотки 1 и 3 трансформатора содержат по 240 витков провода ПЭВ1-0.06, обмотка 2-35 витков провода ПЭВ1-0.06. Обмотки наматывают последовательно согласно нумерации. Между ними прокладывают
по одному слою тонкой фторопластовой или полиэтилентерефта-латной пленки от конденсаторов. Трансформатор можно намотать и на кольцевом ферритовом магнитопроводе К16x13x4 из феррита М2000НМ1. Число витков обмоток и тип провода те же. РА1 - микроамперметр М4761 от индикатора уровня записи/воспроизведения катушечного магнитофона. Сопротивление рамки этого индикатора постоянному току - 1 кОм. Его можно заменить любым другим с током полного отклонения до 300 мкА, например, М4204, но в этом случае может потребоваться существенная коррекция сопротивлений резисторов R1-R6. Переключатели SB1-SB3 от импортной аудиотехники, при этом SB1 должен быть на три положения, а переключатели SB2, SB3 могут быть и типа ПД-2, 2П4Н от переключателя диапазонов карманного радиоприемника. Для подключения проверяемого транзистора удобно использовать какой-либо разъем с шагом гнезд 2,5 мм или один ряд доработанной 14-выводной DIP-панельки для микросхем . Сенсор Е1 можно сделать из неисправного транзистора в металлостеклянном корпусе, например, МП39.
На монтажной плате размещают только детали преобразователя. Диоды VD1, VD2 и резисторы R1-R8 припаиваются к контактам переключателей. В авторском варианте прибор собран в корпусе размерами 135x70x35 мм от радиоприемника «Невский».
Налаживание. Подбором резисторов R1-R3 устанавливают границы диапазонов при измерении напряжения. Начинать следует с подбора резистора R1. Резисторами R4-R6 устанавливают границы диапазонов при измерении тока. Начинать следует с подбора резистора R6. Рамка М4761 обладает небольшой нелинейностью , поэтому наносить деления на новой шкале желательно во время градуировки, например, в положении «1,5 В». Эффектно будет смотреться шкала, нарисованная с помощью компьютера, например, программой «Corel DRAW 11.663» и распечатанная на цветном принтере. Естественно, в зависимости от вкусов, потребностей или наличия рамки с подходящей шкалой можно выбрать и другие пределы измерений. Если преобразователь полярности на транзисторе VT1 не возбуждается, то следует поменять местами выводы обмотки 2. При желании повысить КПД преобразователя, ток потребления которого при отсутствии проверяемого транзистора не должен превышать 20 мА, можно подобрать емкость конденсатора С2.
Работа с прибором. Вставлять в разъем проверяемый транзистор можно только при выключенном питании, предварительно коснувшись сенсора Е1. При подключении маломощных полевых транзисторов с изолированным затвором, например, таких как КП305, их выводы желательно закорачивать проволочной перемычкой, например, временно обмотав их тонкой проволокой у основания корпуса транзистора. Напряжение отсечки - это напряжение между затвором и истоком , при котором ток стока уменьшается почти до нуля. Начальный ток стока - ток при нулевом напряжении затвор-исток. Крутизну характеристики можно вычислить по простой формуле вмд/в = Д1мА/Д11в, где ДІ, AU - приращение тока стока при соответствующем приращении напряжения затвор-исток.
Об изменениях конструкции. Если имеется свободный двуполярный источник питания с выходными напряжениями ± 10 В, то можно отказаться от преобразователя полярности напряжения питания. Можно использовать и две батареи «Крона». Если ввести еще один переключатель на два положения, то можно переключать нижний по схеме вывод резистора R9 от общего провода к правому по схеме выводу резистора R6. Это позволит детально проверять полевые транзисторы обогащенного типа, например, такие как КП501, КП505, BUZ90. Измерение напряжения затвор-исток при этом удобнее проводить цифровым вольтметром, подключенным к общему проводу и среднему выводу резистора R9.
Этим прибором не следует проверять чрезвычайно чувствительные к повреждениям арсенидгаллиевые полевые транзисторы -ЗП324, ЗП344 и другие аналогичные.
Литература: А. П. Кашкаров, А. Л. Бутов - Радиолюбителям схемы, Москва 2008
|
Приставка к вольтметру для измерения параметров полевых транзисторов http://sezador.radioscanner.ru/pages/articles/sources/jfetester.htm
|
|
Определять параметры полевых транзисторов с p-n-переходом на затворе, как n-канальных, так и p-канальных, поможет описанная ниже простая и недорогая приставка к вольтметру, которая позволяет измерять начальный ток стока полевого транзистора и его напряжение отсечки. Таким образом, используя лишь эту приставку в комплекте с каким-нибудь вольтметром, можно, например, отобрать транзисторы с наилучшими характеристиками или подобрать пару одинаковых по параметрам транзисторов. Кроме того , приставка позволяет проверить полевой транзистор на работоспособность, приблизительно определить крутизну полевого транзистора в предполагаемой рабочей точке, а студентам и начинающим радиолюбителям - исследовать полевой транзистор чтобы лучше понять его принцип работы. |
|
Схема приставки-измерителя параметров полевых транзисторов приведена на рис.1 . Главная её особенность - стабилизированное напряжение сток-исток при измерении начального тока стока полевого транзистора. |
|
Такой параметр полевого транзистора с p-n -переходом на затворе как начальный ток стока (I С НАЧ ), по определению, должен измеряться при нулевом значении напряжения затвор-исток (U ЗИ =0V ) и фиксированном напряжении сток-исток (U СИ =const ). На практике же для измерения начального тока стока полевого транзистора в цепь его стока или истока включают миллиамперметр. Такой способ измерения не соответствует собственно определению параметра полевого транзистора I С НАЧ поскольку собственное омическое сопротивление реального миллиамперметра отлично от нуля. При включении такого миллиамперметра в цепь истока как показано на рис.2а , из-за протекающего через миллиамперметр тока, на его зажимах возникает разность потенциалов, подводимая как раз между истоком и затвором полевого транзистора, и значение U ЗИ поэтому уже не будет нулевым. Например, значение собственного омического сопротивления авометра типа Ц4315 на пределе измерения "5 мА" равно 40 Ом , а на пределе "25 мА" - соответственно в пять раз меньше, то есть 8 Ом . Чтобы с достаточной точностью измерить небольшой по величине начальный тока стока, как, например, у полевых транзисторов КП303В и КП303И , авометр надо использовать на пределе измерения "5 мА" . Но в этом случае ток стока всего 3 мА приведёт к возникновению между истоком и затвором напряжения величиной (3 мА x 40 Ом) = 0,12В , что для полевого транзистора является уже довольно значительным напряжением смещения. Или, например, начальный ток стока импортного полевого транзистора J310 часто превышает 20 мА , и измерять его надо уже на пределе "25 мА" . Но (20 мА x 8 Ом) = 0,16В - это тоже немало. Какой-нибудь импортный цифровой мультиметр, например, типа DT9205A , ничем не лучше в этом смысле отечественного Ц4315 , так как его собственное омическое сопротивление на пределе измерения постоянного тока "20 мА" равно 10 Ом . |
|
Несколько меньше нареканий вызывает схема измерения, приведенная на рис.2б , где миллиамперметр включен в цепь стока полевого транзистора. Здесь падение напряжения на миллиамперметре приводит лишь к изменению напряжения сток-исток. Но это, в свою очередь, также вызывает некоторое изменение тока стока, поскольку, как показано в , выходная характеристика полевых транзисторов далека от идеальной, особенно при напряжении сток-исток ниже 5 В . |
|
В схеме приставки-измерителя параметров полевых транзисторов, приведенной на рис.1 , на сток подключаемого полевого транзистора подаётся стабилизированное напряжение питания ("+5 В" для n -канального транзистора и "-5 В" для p -канального - устанавливается переключателем SA1), а его исток подсоединён к так называемому "виртуальному нулю" преобразователя входного тока в выходное напряжение, выполненного на операционном усилителе D3:1 . На рис.3 приведена упрощённая схема измерения начального тока стока полевого транзистора, поясняющая принцип стабилизации напряжения сток-исток. |
|
Охваченный отрицательной обратной связью операционный усилитель стремится установить на своём выходе такое напряжение, чтобы по возможности поддерживать на своём инвертирующем входе напряжение, практически равное напряжению на входе неинвертирующем. А поскольку неинвертирующий вход операционного усилителя подсоединён к общему проводу схемы, то напряжение на его инвертирующем входе также будет очень близко к нулю, во всяком случае пока операционный усилитель работает в пределах своей линейной области. Эту точку схемы с застабилизированным нулевым потенциалом, но не связанную с общим проводом гальванически, ещё называют "виртуальным нулём" . |
|
На приведенной на рис.3 схеме показано , что напряжение на инвертирующем входе операционного усилителя будет равно нулю когда ток, протекающий через резистор R8 , равен току стока подключенного к "виртуальному нулю" полевого транзистора (ничтожно малым входным током операционного усилителя пренебрегаем). Напряжение на выходе схемы будет при этом пропорционально величине этого тока, причём коэффициент пропорциональности задаётся сопротивлением резистора R8 , а напряжение между истоком и стоком полевого транзистора остаётся постоянным и равным поданному на вывод стока напряжению питания (в данном случае +5В ). Более подробно работа управляемого током источника напряжения на операционном усилителе рассмотрена в . |
|
Чтобы измерять напряжение отсечки полевых транзисторов, приблизительно определять крутизну их передаточной характеристики или просто исследовать их работу в познавательных целях необходимо иметь возможность регулировать напряжение на затворе полевого транзистора. Эту роль выполняет функциональный узел на операционном усилителе D3:2 , работу которого поясняет схема на рис.4 . |
|
В этой схеме через резистор R7 протекает стабильный постоянный ток, величина которого определяется суммой сопротивлений резисторов R2 и R5 . Поскольку охваченный отрицательной обратной связью через переменный резистор R7 операционный усилитель D3:2 поддерживает на своём выходе такое напряжение, что потенциал "виртуального нуля" равен потенциалу общего провода, то величина выходного напряжения будет прямо пропорциональна сопротивлению этого переменного резистора. |
|
Значение напряжения отсечки у полевых транзисторов различного типа варьируется в довольно широких пределах. Поэтому в приведенной на рис.1 схеме предусмотрено переключение диапазона регулирования напряжения на затворе переключателем SA3 : в его верхнем по схеме положении максимальное значение напряжения устанавливается подстроечным резистором R2 , а в нижнем - подстроечным резистором R3 . |
|
Благодаря применению описанных выше способов стабилизации напряжения U СИ и формирования подаваемого на затвор полевого транзистора управляющего напряжения U ЗИ упростилось переключение между n -канальным и p -канальным типами транзистора. Эту функцию выполняет одиночный переключатель SA1 . Когда он установлен в положение "n-канал" , то на сток полевого транзистора и на вход выполненного на операционном усилителе D3:2 регулятора напряжения подаётся стабилизированное положительное напряжение питания +5В . При этом на затвор подключаемого полевого транзистора с выхода регулятора будет поступать отрицательное управляющее напряжение. Когда же переключатель SA1 установлен в положение "p-канал" , то на сток полевого транзистора и на вход регулятора напряжения подаётся стабилизированное отрицательное напряжение питания -5В , и на затвор полевого транзистора с выхода регулятора будет поступать положительное управляющее напряжение. |
|
Назначение остальных переключателей, показанных на схеме, следующее. SA2 выполняет функцию выключателя схемы измерения на время замены очередного полевого следующим. Когда SA2 включен, то горит зелёный светодиод VD4 для n -канального полевого транзистора или жёлтый VD5 для p -канального. Переключатель SA4 отключает затвор полевого транзистора от выполненного на операционном усилителе D3:2 регулятора напряжения при измерении начального тока стока. И наконец, переключателем SA5 можно выбрать величину, измеряемую подключенным к контактам XT4 и XT5 вольтметром: либо ток стока полевого транзистора (нижнее по схеме положение), либо напряжение на его затворе (верхнее по схеме положение). |
|
RC -цепи компенсации емкостной нагрузки R9:C8 и R10:C7 предотвращают возможное самовозбуждение операционных усилителей , спровоцированное подсоединением к их выходу длинных проводов, которыми приставка-измеритель полевых транзисторов подсоединяется к вольтметру. |
|
На рис.5 приведена схема цепей питания приставки-измерителя параметров полевых транзисторов. Для питания приставки используется вторичная обмотка сетевого трансформатора со средней точкой. К выводам мостового выпрямителя VD3 подключаются крайние выводы обмотки, а её средняя точка подключается к общему проводу схемы. Действующее переменное напряжение на выводах вторичной обмотки, измеренное относительно средней точки, должно быть в пределах 7..11 В , так как напряжение питания операционного усилителя D3 не стабилизируется. |
|
Измеритель параметров полевых транзисторов, включая цепи питания, собран на двухсторонней печатной плате размером 62 x 66 мм . Трассировка печатных проводников на плате приведена на рис.6 , а установка элементов на ней - на рис.7 . Микросхемы D1 и D2 - это выпускаемые в транзисторном корпусе TO-92 маломощные линейные стабилизаторы напряжения MC78L05ABP и MC79L05ABP соответственно (в кодировке фирмы ON Semiconductor ). |
|
Микросхема D3 - это сдвоенный операционный усилитель общего применения LM358P или LM2904P в корпусе DIP-8 (в кодировке фирмы Texas Instruments ). Электролитические конденсаторы C1 и C2 могут быть и меньшей ёмкости, но на рабочее напряжение не менее 25В . Диоды VD1 и VD2 типа 1N4448 можно заменить на отечественные КД510А или КД522Б . При установке надо не ошибиться с их полярностью: у показанных на монтажной схеме диодов 1N4448 полоской отмечен вывод катода. Светодиод VD4 - зелёный L-934GD , а VD5 - жёлтый L-934YD производства фирмы Kingbright или аналогичные им по цвету и размеру. Выпрямительный диодный мост VD3 типа DF01M . |
|
Подстроечные резисторы R2 и R3 - импортные, например типа 3362P фирмы BOURNS или аналогичные по размеру и номинальному сопротивлению. Переменный резистор R7 также импортный. |
|
Керамические конденсаторы C3..C8 - любые подходящие по размеру. Все постоянные резисторы - выводные отечественного производства типа МЛТ , С2-23 или С2-33 номинальной мощностью 0,125 Вт или 0,25 Вт , но подойдут и любые подходящие по размеру импортные. Переключатели SA1..SA5 - любые подходящие по размеру. |
|
Наладка собранной приставки заключается в установке подстроечными резисторами R2 и R3 диапазонов регулировки переменным резистором R7 запирающего напряжения на затворе подключаемого полевого транзистора. Порядок такой: |
|
|
Печатную плату с установленными на ней элементами легко разместить в подходящем по размерам корпусе. Автор приобрёл для этого на киевском радиорынке готовый платсмассовый корпус, в программе Photohsop создал наклейку с подписями органов управления (см. рис.9 ), распечатал её на фотобумаге и закрепил на передней панели под толстой лавсановой плёнкой теми же винтами, которыми плата на резьбовых стойках прикручивается к корпусу. |
|
Чтобы поднять предназначенные для подключения полевого транзистора цанговые контакты XS1..XS3 до уровня плоскости передней панели корпуса их можно "удлиннить" при помощи подходящего по размеру штыревого контакта от какого-нибудь разъёма как показано на приведенных на рис.9 фотографиях. |
|
Порядок измерения параметров полевого транзистора следующий. До того как вставить полевой транзистор в цанговые контакты "З", "С" и "И" (затвор, сток и исток соответственно) к приставке-измерителю надо подключить вольтметр и подать питание, переключателем SA1 установить соответствующий полевому транзистору тип канала ("n" или "p"), а переключатель SA2 установить в положение "выкл.". При измерении начального тока стока транзистора переключатель SA4 надо перевести в положение "0В", а переключатель SA5 - в положение "I С ". Затем: |
|
|
Для последующего измерения напряжения отсечки полевого транзистора переключателем SA3 надо выбрать соответствующий типу подключенного полевого транзистора диапазон регулировки напряжения на его затворе ("2В" или "8В"), а сам регулятор вывести в крайнее левое по схеме положение движка переменного резистора R7 (против часовой стрелки до упора). Затем: |
|
|
Диапазон измерения начального тока стока полевого транзистора ограничен величиной максимального выходного тока операционного усилителя D3 , в данном случае оно составляет что-то около 20 мА . Чтобы, например, подобрать пару одинаковых по параметрам полевых транзисторов, у которых начальный ток стока может превышать это значение (начальный ток стока такого полевого транзистора как J310 может доходить до 60 мА ) измерять надо не начальный ток стока таких транзисторов, а ток стока при одном и том же запирающем напряжении на затворе, переведя, например, переключатель SA3 в положение "2В" и повернув регулятор напряжения на затворе в крайнее положение по часовой стрелке. Переключатель SA4 при этом должен быть в положении "рег.". |
|
©Задорожный Сергей Михайлович, 2011г. |
|
Литература: |
|
Прибор для проверки полевых транзисторов
http://www.bestreferat.ru/referat-169053.html
Прибор позволяет проверять работоспособность полевых транзисторов с p-n-переходом, с изолированным затвором и встроенным каналом (обедненный тип), а также одно- и двухзатворных транзисторов с изолированными затворами и индуцированным каналом (обогащенный тип).
Переключателем S3 устанавливают, в зависимости от типа испытуемого транзистора, необходимую полярность напряжения на стоке. Для проверки транзисторов с затвором в виде p-n-перехода и транзисторов с изолированным затвором и встроенным каналом переключатель S1 устанавливают в положение Обеднение, a S2 - в положение Подложка.
Для проверки транзисторов с изолированными затворами и индуцированным каналом переключатель S1 переводят в положение Обогащение, a S2 - в положение Подложка для однозатворных и Затвор 2 для двухзатворных транзисторов.
После установки переключателей в нужные положения к гнездам разъема XI подключают проверяемый транзистор, включают питание и, регулируя переменными резисторами R1 и R2 напряжения на затворах, наблюдают за изменением тока стока.
Резисторы R3 и R4 ограничивают ток затвора в случае его пробоя или при ошибочной полярности напряжения на затворе (для транзисторов с затвором в виде p-n-перехода). Резисторы R5 и R6 исключают возможность накопления статических зарядов на гнездах разъема XI для подключения затворов. Резистор R8 ограничивает ток, протекающий через миллиамперметр P1. Мост (диоды VI-V4) обеспечивает требуемую полярность тока через измерительный прибор при любой полярности питающего напряжения.
Налаживание прибора сводится к подбору резистора R8*, обеспечивающего отклонение стрелки миллиамперметра на последнюю отметку шкалы при замкнутых гнездах Сток и Исток.
В приборе может быть использован миллиамперметр с током полного отклонения 10 мА или микроамперметр с соответствующим сопротивлением шунтирующего резистора R7*. Диоды V1-V4 - любые, маломощные, германиевые. Номинальное сопротивление резисторов R1 и R2 - в пределах 5,1...47 кОм.
Прибор питается от двух батарей "Крона" или от двух аккумуляторов 7Д-0,1.
Данным прибором можно измерять и напряжение отсечки (прибор Р1 должен быть на ток 100 мкА). Для этого параллельно гнездам Затвор 1 и Исток устанавливают дополнительные гнезда , к которым подключают вольтметр.
Последовательно с резистором R7* включают кнопку, при нажатии на которую шунтирующий резистор отключается. При нажатой кнопке устанавливают ток стока 10 мкА и по внешнему вольтметру определяют напряжение отсечки.
Прибор для проверки параметров биполярных транзисторов может быть и самодельным.
Прежде чем вмонтировать транзистор в то или иное радиотехническое устройство, желательно, а если транзистор уже где-то использовался ранее, то совершенно обязательно, проверить его обратный ток коллектора Iкбо статический коэффициент передачи тока h21Э и постоянство коллекторного тока. Эти важнейшие параметры маломощных биполярных транзисторов структур р-n-р и n-р-n ты можешь проверять с помощью прибора, схема и устройство которого изображены на рис. 121. Для него потребуются: миллиамперметр РА1 на ток 1 мА, батарея GB напряжением 4,5 В, переключатель S1 вида измерений, переключатель S2 изменения полярности включения миллиамперметра и батареи, кнопочный выключатель S3 для включения источника питания, два резистора и три зажима типа «крокодил» для подключения транзисторов к прибору. Для переключателя вида измерений используй двухпозиционный тумблер ТВ2-1, для изменения полярности включения миллиамперметра и батареи питания - движковый переключатель транзисторного приемника «Сокол» (о конструкции и креплении переключателя этого типа я расскажу в следующей беседе).
Рис. 121. Схема и конструкция прибора для проверки маломощных биполярных транзисторов
Кнопочный выключатель может быть любым, например подобным звонковому или в виде замыкающихся пластинок, Батарея питания - 3336Л или составления из трех элементов 332 или 316.
Шкала миллиамперметра должна иметь десять основных делений, соответствующих десятым долям миллиамперметра. При проверке статического коэффициента передачи тока каждое деление шкалы будет оцениваться десятью единицами значения .
Детали прибора смонтируй на панели из изоляционного материала, например гетинакса. Размеры панели зависят от габаритов деталей.
Прибор действует так. Когда переключатель S1 вида измерений установлен в положение , база проверяемого транзистора V оказывается замкнутой на эмиттер. При включении питания нажатием кнопочного выключателя S3 стрелка миллиамперметра покажет значение обратного тока коллектора . Когда же переключатель находится в положении , на базу транзистора через резистор R1 подается напряжение смещения, создающее в цепи базы ток, усиливаемый транзистором. При этом показание миллиамперметра, включенного в коллекторную цепь, умноженное на 100, соответствует примерному значению статического коэффициента передачи тока h21Э данного транзистора. Так, например, если миллиамперметр покажет ток 0,6 мА, коэффициент h21Э данного транзистора будет 60.
Положение контактов переключателя, показанное на рис. 121, а, соответствует включению прибора для проверки транзисторов структуры р-n-р. В этом случае на коллектор и базу транзистора относительно эмиттера подается отрицательное напряжение, миллиамперметр подключен к батарее отрицательным зажимом. Для проверки транзисторов структуру n-р-n подвижные контакты переключателя S2 надо перевести в другое нижнее (по схеме) положение. При этом на коллектор и базу транзистора относительно эмиттера будет подаваться положительное напряжение, изменится и полярность включения миллиамперметра в коллекторную цепь транзистора.
Проверяя коэффициент транзистора, следи внимательно за стрелкой миллиамперметра. Коллекторный ток с течением времени не должен изменяться - «плыть». Транзистор с плавающим током коллектора не годен для работы.
Учти: во время проверки транзистора его нельзя держать рукой, так как от тепла руки ток коллектора может измениться.
Какова роль резистора R2, включенного последовательно в коллекторную цепь проверяемого транзистора? Он ограничивает ток в этой цепи на случай, если коллекторный переход транзистора окажется пробитым и через него пойдет недопустимый для миллиамперметра ток.
Максимальный обратный ток коллектора Iкбо для маломощных низкочастотных транзисторов может достигать 20-25, но не больше 30 мкА. В нашем приборе это будет соответствовать очень малому отклонению стрелки миллиамперметра - примерно третьей части первого деления шкалы. У хороших маломощных высокочастотных транзисторов ток Iкбо значительно меньше - не более нескольких микроампер, прибор на него почти не реагирует. Транзисторы, у которых Iкбо превышает в несколько раз допустимый, считай непригодными для работы - они могут подвести.
Прибор с миллиамперметром на 1 мА позволяет измерять статический коэффициент передачи тока h21Э до 100, т.е. наиболее распространенных транзисторов. Прибор с миллиамперметром на ток 5-10 мА расширит соответственно в 5 или 10 раз пределы измерений коэффициента h21Э. Но прибор станет почти нечувствительным к малым значениям обратного тока коллектора.
У тебя, вероятно, возник вопрос: нельзя ли в качестве миллиамперметра - прибора для проверки параметров транзисторов - использовать микроамперметр описанного ранее комбинированного измерительного прибора?
Рис. 122. Схема измерения параметров и S полевого транзистора
Ответ однозначный: можно. Для этого миллиамперметр комбинированного прибора надо установить на предел измерения до 1 мА и подключать его к приставке для проверки транзисторов вместо миллиамперметра РА1.
А как измерить основные параметры полевого транзистора? Для этого нет надобности конструировать специальный прибор, тем более, что в твоей практике полевые транзисторы будут использоваться не так часто, как маломощные биполярные.
Для тебя наибольшее практическое значение имеют два параметра полевого транзистора: - ток стока при нулевом напряжении на затворе и S - крутизна характеристики. Измерить эти параметры можно по схеме, приведенной на рис. 122. Для этого потребуются: миллиамперметр РА1 (используй комбинированный прибор, включенный на измерение постоянного тока), батарея GB1 напряжением 9 В («Крона» или составленная из двух батарей 3336Л) и элемент G2 (332 или 316).
Делай это так. Сначала вывод затвора проверяемого транзистора соедини с выводом истока. При этом миллиамперметр покажет значение первого параметра транзистора - начальный ток стока . Запиши его значение. Затем разъедини выводы затвора и истока (на рис. 122 показано крестом) и подключи к ним элемент G2 плюсовым полюсом к затвору (на схеме показано штриховыми линиями). Миллиамперметр зафиксирует меньший ток, чем Iс нач. Если теперь разность двух показаний миллиамперметра разделить на напряжение элемента G2, получившийся результат будет соответствовать численному значению параметра S проверяемого транзистора.
Для измерения таких же параметров полевых транзисторов с р-n переходом и каналом типа полярность включения миллиамперметра, батареи и элемента надо поменять на обратную.
Измерительные пробники и приборы, о которых я рассказал в этой беседе, поначалу тебя вполне устроят. Но позже, когда настанет время конструирования и налаживания радиоаппаратуры повышенной сложности, например супергетеродинных приемников, аппаратуры телеуправления моделями, потребуются еще измерители емкости конденсаторов, индуктивности катушек, вольтметр с повышенным относительным входным сопротивлением, генератор колебаний звуковой частоты. Об этих приборах, которые пополнят твою измерительную лабораторию, я расскажу позже.
Но, разумеется, самодельные приборы не исключают приобретение промышленных. И если такая возможность у тебя появится, то в первую очередь купи авометр - комбинированный прибор, позволяющий измерять постоянные и переменные напряжения и токи, сопротивления резисторов, обмоток катушек и трансформаторов и даже проверять основные параметры транзисторов. Такой прибор при бережном обращении с ним многие годы будет тебе верным помощником в радиотехническом конструировании.
Используя схему показанную на рисунке, можно собрать приставку-пробник, при помощи которой можно проверять биполярные транзисторы малой, средней и большой мощности.
При проверке транзисторов к схеме подключают миллиамперметр (1мА), он может быть встроен в схему или быть внешним.
При проверке транзисторов средней и большой мощности отключают миллиамперметр, и уст-во становится пробником со световой индикацией.
Для проверки основных параметров транзисторов малой мощности переключатель П3 устанавливают в соответствующее положение, а приставку соединяют с миллиамперметром (полярность зависит от структуры транзистора). Сначала П1 устанавливают в положение Iкбо, измеряют обратный ток коллекторного перехода, а затем, переведя переключатель в положение h21э — коэффициент передачи тока (при отклонении стрелки на всю шкалу коэффициент передачи тока равен 100).
При проверке транзисторов средней и большой мощности миллиамперметр отключают и нажимают кнопку П2. В этом случае в коллекторную цепь транзистора включается лампочка Л1 (3,5В 0,26А), а в цепь базы последовательно соединенные R1 и R3. Переменным резистором R4 изменяют обратный ток базовой цепи. Если проверяемый транзистор исправный, будет меняться яркость свечения лампы. Чем больше коэффициент передачи тока, тем при большем сопротивлении введенной части резистора R4 возникает заметный на глаз накал нити лампочки.
Если же лампочка не горит, даже при полностью выведенном сопротивлении резистора или горит ярко при лубом положении его движка — транзистор не исправен.
Литература - Бастанов В.Г. 300 практических советов. Москва: Издательство «Московский рабочий», 1992
- Похожие статьи
- - Существует достаточно много схем регуляторов мощности на тиристорах или симисторах, где регулировка осуществляется за счет изменения угла отпирания. Регуляторы с такой схемой создают помехи в сети, поэтому применять их можно только с громоздкими LC-фильтрами. В тех случаях, когда не важно, чтобы...
- - Микросхема усилителя НЧ TDA2030A фирмы ST Microelectronics пользуется заслуженной популярностью среди радиолюбителей. Она обладает высокими электрическими характеристиками и низкой стоимостью, что позволяет при минимальных затратах собирать на ней высококачественные УНЧ мощностью до 18 Вт. Однако...
- - Конвертер разработан на основе блока СКД с целью упрощения его схемы, настройки и сборки. Он содержит минимум не дефицитных радиодеталей, неоднократно повторялся на протяжении многих лет и показал отличные результаты. Однако из-за отсутствия УВЧ ему необходим сигнал достаточного...
- - На рисунке представлена схема простого измерителя электролитических конденсаторов с 2-я диапазонами: 0-200 и 0-1000мкФ и погрешностью измерения не более 10%. Принцип работы измерителя состоит на измерении пульсаций выпрямленного напряжения. Для этого поверяемый конденсатор подключают к...
- - Стереофонический усилитель предназначен для высококачественного воспроизведения речевых и музыкальных программ. Он может работать совместно с электропроигрывателем, магнитофоном, приемником, телевизором. При работе со стереофоническим источником усилитель работает в режиме «стерео», при работе с...
Для транзисторов структуры п-р-п полярность включения питающей батареи GB и измерительного прибора РА должна быть обратной.
Обратный ток коллектора Iкбо измеряют при заданном обратном напряжении на коллекторном р-п переходе и отключенном эмиттере (рис. 57, а). Чем он меньше, тем выше качество коллекторного перехода и стабильность работы транзистора.
Параметр h21э, характеризующий усилительные свойства транзистора, определяют как отношение тока коллектора Iк к вызвавшему его току базы IБ, (рис. 57, б), т. е. h2lэ ~ Iк/Iв. Чем больше численное значение этого параметра, тем больше усиление сигнала, которое может обеспечить транзистор.
Для измерения этих двух основных параметров маломощных биполярных транзисторов можно рекомендовать сделать в кружке приставку к самодельному авометру, описанному выше. Схема такой приставки показана на рис. 58, а. Проверяемый транзистор V подключают выводами электродов к соответствующим зажимам «Э», «Б» и «К» приставки, соединенной (через зажимы XI, Х2 и проводники с однополюсными штепселями на концах) с миллиамперметром авометра, включенного на предел измерения «1 мА». Переключатель S2 предварительно устанавливают в положение, соответствующее структуре проверяемого транзистора. При проверке транзистора структуры п-р-п с гнездом «Общ.» авометра соединяют зажим XI приставки (как на рис. 58, а), а при проверке транзистора структуры р-п-р — зажим Х2.
Установив переключатель S1 в положение «I КБО», измеряют сначала обратный ток коллекторного перехода, а затем, переведя переключатель S1 в положение «h21э», — статический коэффициент передачи тока. Отклонение стрелки прибора на всю шкалу при измерении параметра I КБ0 укажет на пробой коллекторного перехода проверяемого транзистора.
Измерение параметра h21э происходит при фиксированном токе базы, ограничиваемым резистором R1 до 10 мкА. При этом транзистор открывается и в его коллекторной цепи (в том числе через миллиамперметр) течет ток, пропорциональный коэффициенту h21э. Если, например, прибор фиксирует ток 0,5 мА (500 мкА), то коэффициент h21э проверяемого транзистора будет 50 (500: 10 = 50). Ток 1 мА (отклонение стрелки прибора до конечной отметки шкалы), следовательно, соответствует коэффициенту h21э равному 100. Если стрелка прибора зашкаливает, миллиамперметр авометра надо переключить на следующий предел измерения тока — «10 мА». В этом случае вся шкала прибора будет соответствовать коэффициенту h21э, равному 1000, а каждая десятая часть ее — 100.
Резистор R2, ограничивающий ток в измерительной цепи до 3 мА, нужен для предупреждения порчи измерительного прибора из-за пробоя проверяемого транзистора.
Возможная конструкция приставки показана на рис. 58, б. Для лицевой панели, размерами примерно 130X75 мм, желательно использовать листовой гетинакс или текстолит толщиной 1,5—2 мм.
Зажимы «Э», «Б» и «К> для подключения выводов транзистора типа «крокодил». Переключатель вида измерений S1 — тумблер ТП2-1, структуры транзистора S2 — ТП1-2. Батарею питания GB1 — 3336Л или составленную из трех элементов 332, крепят на панели снизу, там же монтируют и ограничительные резисторы R1 и R2. Зажимы (или гнезда) для соединения приставки с авометром размещают в любом удобном месте, например на задней боковой стенке ящика. Сверху на панель наклеивают краткую инструкцию по работе с приставкой-измерителем. Проверить работоспособность и оценить усилительные свойства транзисторов средней и большой мощности можно с помощью простого прибора, схема которого приведена на рис. 59. Проверяемый транзистор V подключают к зажимам, соответствующим его электродам. При этом в коллекторную цепь транзистора оказывается включенным амперметр РА1 на ток полного отклонения стрелки 1A, а в базовую — один из резисторов R1—R4. Сопротивления резисторов подбирают с таким расчетом, чтобы ток базовой цепи транзистора можно было устанавливать равным 3, 10, 30 и 50 мА. Таким образом, проверка транзистора осуществляется при фиксированных токах в базовой цепи, устанавливаемых переключателем S1. Источником питания служат три элемента 373, соединенные последовательно, или низковольтный выпрямитель, обеспечивающий напряжение 4,5 В при токе нагрузки до 2А.
Численное значение статического коэффициента передачи тока проверяемого транзистора определяют как отношение тока коллектора к вызвавшему его току базы. Например, если переключатель S1 установлен на ток базы, равный 10 мА, а амперметр PA 1 фиксирует ток 500 мА, значит, коэффициент h21э данного транзистора равен 50 (500: 10 = 50).
Конструкция такого прибора — испытателя транзисторов произвольная. Ее можно сделать как приставку к авометру, амперметр которого рассчитан на измерение постоянных токов до нескольких ампер.
Производить проверку транзистора надо возможно быстрее, потому что уже при токе коллектора 250...300 мА он начинает нагреваться и тем самым вносить погрешности в результаты измерений.
